Tipo de transístor: P-MOSFET
Tecnologia: QFET®
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: -100V
Corrente de dreno: -4,2A
Potência dissipada: 44W
Caixa: DPAK
Tensão descarga-fonte: ±30V
Resistência no estado de condução: 530mO
Montagem: SMD
Carga da porta: 15nC
Espécie de embalagem: fita, rolo
Espécie de canal: enriquecido
Peso: 0,367g